核心技術(shù)特性薄膜晶體管（TFT）芯片通過(guò)在絕緣基板上沉積薄膜半導(dǎo)體材料形成有源層，實(shí)現(xiàn)電流控制功能，其最核心的優(yōu)勢(shì)是大面積均勻制備能力。與傳統(tǒng)硅基芯片依賴單晶襯底不同，TFT 芯片可在玻璃、塑料等大面積基板上通過(guò)濺射、蒸鍍等工藝制備，單基板尺寸可達(dá)第 10.5 代…

核心技術(shù)特性柔性電子芯片以柔性基板（如聚酰亞胺、水凝膠、石墨烯薄膜等）為載體，通過(guò)特殊的材料制備和工藝加工，實(shí)現(xiàn)可彎曲、折疊甚至拉伸的電子器件，其最核心的優(yōu)勢(shì)是優(yōu)異的機(jī)械柔韌性。這類芯片可承受彎曲半徑小至 1 毫米的反復(fù)彎曲（超過(guò) 10 萬(wàn)次），或 50% 以上的…

核心技術(shù)特性生物芯片通過(guò)在微小基片（通常幾平方厘米）上集成大量生物識(shí)別單元（如基因探針、蛋白質(zhì)抗體、細(xì)胞受體等），實(shí)現(xiàn)對(duì)生物分子的高通量檢測(cè)，其最核心的優(yōu)勢(shì)是超高的并行檢測(cè)能力。一塊標(biāo)準(zhǔn)的基因芯片可集成數(shù)十萬(wàn)至上百萬(wàn)個(gè)基因探針，能同時(shí)對(duì)樣本中的數(shù)萬(wàn)種基…

核心技術(shù)特性光子芯片以光子作為信息載體，通過(guò)集成光學(xué)元件實(shí)現(xiàn)光信號(hào)的產(chǎn)生、傳輸、調(diào)制和探測(cè)，其最核心的優(yōu)勢(shì)是超高的信息傳輸速率。光子的傳播速度接近光速（約 310?米 / 秒），遠(yuǎn)超電子在導(dǎo)線中的漂移速度（約 10?米 / 秒），這使得光子芯片的通信帶寬可輕松突破…

核心技術(shù)特性神經(jīng)形態(tài)芯片以人腦神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)為設(shè)計(jì)原型，通過(guò)模擬神經(jīng)元與突觸的工作機(jī)制實(shí)現(xiàn)信息處理，其最核心的優(yōu)勢(shì)是高度并行的分布式計(jì)算。與人腦擁有約 860 億個(gè)神經(jīng)元和 10? 個(gè)突觸連接類似，神經(jīng)形態(tài)芯片集成大量模擬神經(jīng)元單元（少則數(shù)千，多則百萬(wàn)級(jí)），各單元通…

核心技術(shù)特性超導(dǎo)芯片基于超導(dǎo)材料在特定低溫環(huán)境下電阻為零的特性構(gòu)建，其最顯著的優(yōu)勢(shì)是近乎零損耗的電流傳輸。在臨界溫度以下（如鈮鈦合金約 4.2K），超導(dǎo)材料中的電流可無(wú)衰減流動(dòng)，使得芯片的能耗僅為傳統(tǒng)硅基芯片的萬(wàn)分之一。一款集成了 1000 個(gè)超導(dǎo)量子干涉器件（…